THP040 　ポスター③　 10月20日 会議室P 13:00-15:00

13kV SiC- MOSFETを用いた高電圧パルス電源の開発

Development of high voltage pulsed power supply using 13kV SiC- MOSFET

○中田 恭輔，徳地 明（㈱パルスパワー技術研究所），東使 潔，小林 進二（京都大学）

○Kyosuke Nakata, Akira Tokuchi (PPJ), Kiyoshi Tohshi, Shinji Kobayashi (Kyoto University)

核融合研究や加速器研究において、高電圧パルス電源にはサイラトロンや四極管などの真空管が広く用いられているが、これらのデバイスは寿命が短く、又、生産中止等で供給が不安定であるなど多くの問題を抱えている。これらの問題を解決し、研究を不安なく継続できるようにするために、我々は13kVという高耐圧のSiC-MOSFETを用いて高電圧パルス電源の開発を進めている。 最近の開発状況について報告する。