THP039  ポスター③  10月20日 会議室P 13:00-15:00
1.7kV SiC MOSFETを用いた半導体キッカー電源用LTD回路ユニットの連続運転
Continuous operation of an LTD circuit unit using 1.7kV SiC MOSFET for a semiconductor kicker power supply
 
○亀崎 広明,生駒 直弥,虫邊 陽一,中田 恭輔,徳地 明(株式会社パルスパワー技術研究所),高柳 智弘,小野 礼人,杉田 萌(J-PARC/JAEA),堀野 光喜,植野 智晶(株式会社NAT)
○Hiroaki Kamezaki, Naoya Ikoma, Yoichi Mushibe, Kyosuke Nakata, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Tomohiro Takayanagi, Ayato Ono, Moe Sugita (J-PARC/JAEA), Koki Horino, Tomoaki Ueno (NAT Corporation)
 
我々はLTD(Linear Transformer Driver)方式の半導体キッカー用電源の開発を続けている.2021年にはLTD回路基板に1.7kV SiC MOSFETを採用した.これにより,LTD回路基板ユニットは従来型と比較して540mmの短尺化と,抵抗負荷20Ωに対して定格40kV,2kApを単発出力し,立ち上がり時間140nsから60nsへの高速化を実現した.今回,20Ωの同軸ケーブル負荷に対して25Hzの定格連続運転を実施した.この結果を報告する.