TUP046  高周波源・LLRF  8月10日 会議室P 12:50 - 14:50
イグナイトロン代替半導体スイッチユニットの開発
Development of solid state switch unit for replacing ignitrons
 
○亀崎 広明,森 均,徳地 明(株式会社パルスパワー技術研究所),小野 礼人,高柳 智弘(JAEA/J-PARC)
○Hiroaki Kamezaki, Hitoshi Mori, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Ayato Ono, Tomohiro Takayanagi (JAEA/J-PARC)
 
パルス大電力クライストロンのカソード電源回路の短絡保護用クローバースイッチを構成するユニットとして、30kV半導体スイッチの設計・製作を行った。MOSゲートサイリスタ素子を16並列3直列接続した単位基板を10直列接続とし、30kVDC40kApの高電圧大電流スイッチング性能を確認したので、その結果について報告する。