WEPP50 　ポスターセッション①　 9月2日 ポスター会場 12:40-14:40

ゲート回路用高電圧DCDCコンバータの開発

Development of high-voltage DC-DC converter for gate circuits

○中山 響介，森 均，徳地 明（（株）パルスパワー技術研究所）

○Kyosuke Nakayama, Hitoshi Mori, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Lab.)

FETやサイリスタ、IGBTといった半導体素子を用いて高電圧を扱う回路では、駆動用電源やインターロック機能を持つ制御回路が不可欠である。ただ、この制御回路への電力供給は地上側電位に接地した外部の電源から行うのが一般的であり、高圧部とは絶縁しなければならず、また当然ながらそれが起動していないと半導体回路は動作できなかった。我々はそのような不都合を解消するため、外部電源・外部信号を必要とせず、高圧が印加されるとそこからそれ自身が自動で制御電源を生成する、半導体を用いたDCDCコンバータ回路を開発した。印加電圧がある一定値を超えたときから動作を始め、印加電圧を上げても出力電圧・電流はほぼ一定となるように制御される。この回路は理論的には複数個の直列接続が可能で、現在は2直列までの動作を確認している。その時の条件は以下の通りである。1回路当たりの印加（入力）電圧は最大3000 V、動作開始電圧は370 V、出力電力は5Wである。