WEPP39 　ポスターセッション①　 9月2日 ポスター会場 12:40-14:40

イグナイトロン代替半導体スイッチ実用基板の評価

Development of semiconductor switch for replacing Ignitrons

○亀崎 広明，森 均，徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所），小野 礼人，高柳 智弘（JAEA/J-PARC）

○Hiroaki Kamezaki, Hitoshi Mori, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.), Ayato Ono, Tomohiro Takayanagi (JAEA/J-PARC)

パルス大電力クライストロンのカソード電源回路の短絡保護用クローバースイッチとして、水銀を使用した放電管イグナイトロンを代替する半導体スイッチの実用基板の評価を行った。ＭＯＳゲートサイリスタ素子を16並列3直列接続した単位基板を４直列接続とし、１２ｋVＤＣ４０ｋＡｐの高電圧大電流スイッチング性能を確認したので、その結果について報告する。