WEPH007 　高周波源　 7月31日 百周年時計台記念館 国際交流ホール 13:30-15:30

イグナイトロン代替半導体スイッチの開発

Development of semiconductor switch for replacing Ignitrons

○森 均，中山 響介，徳地 明（（株）パルスパワー技術研究所），高柳 智弘（J-PARC/JAEA）

○Hitoshi Mori, Kyosuke Nakayama, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Lab.), Tomohiro Takayanagi (J-PARC/JAEA)

水銀を使用する放電管イグナイトロンは、連続波および長パルス大電力クライストロンのカソード電源回路の短絡保護用クローバースイッチとして使用されており、これを代替する半導体スイッチの開発に着手している。１０ｋＡ／μｓオーダーのdi/dt値、数十ｋＡのピーク電流値は半導体スイッチにとって厳しい仕様であり、サイリスタ素子の16並列接続で対応する。今回プロトタイプとして3直列３ｋV用の基板を製作し性能評価試験を行ったので、その結果について報告する。