THPH034 　電磁石と電源　 8月1日 百周年時計台記念館 国際交流ホール 13:30-15:30

SiCデバイスを使用した高電圧パルス発生器の開発

Development of high voltage pulse generator with SiC devices

○中田 恭輔，虫邉 陽一，森 均，徳地 明（(株)パルスパワー技術研究所）

○Kyosuke Nakata, Yoichi Mushibe, Hitoshi Mori, Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Lab.)

スイッチング損失が小さく高速かつ高耐圧のSiC半導体を用いて、容量負荷を想定した高電圧パルス発生器の開発を行った。容量負荷に高電圧パルスを印加するためには、充電用と放電用の二つの高耐圧スイッチが必要となる。今回は充電用と放電用にそれぞれSiC-MOSFETを8直列して10 pFの負荷にピーク電圧8 kVの電圧を1 kHzの繰り返しで印加する小型電源の試験を実施したので結果詳細を報告する。