FRPI026 　電子加速器　 8月2日 国際科学イノベーション棟5階 ホワイエ 10:50-12:50

KEK電子陽電子入射器制御システム

KEK E-/E+ INJECTOR LINAC CONTROL SYSTEM

○佐藤 政則（KEK加速器）

○Masanori Satoh (KEK acc.)

現在，KEKでは，KEKB加速器で到達した40倍のピークルミノシティーを目指し，SuperKEKB加速器のコミッショニング運転を進めている。本加速器では，このような高いルミノシティーを達成するため，蓄積電流値の倍増および衝突点での極小ビームサイズの実現を設計基盤とした，ナノビーム方式を採用している。ナノビーム方式では，主リングでのビーム寿命が極端に短いため，トップアップ入射は元より入射ビームのバンチ電荷量増強が必須となる。電子（陽電子）ビーム入射に要求されるバンチ電荷量は5 nC (4 nC)であり，KEKB入射器と比較して約5倍のバンチ電荷量が求められている。一方，ナノビーム方式を採用した主リングの低エミッタンス化にともない，入射器ビームの垂直方向エミッタンスは，従来の1/5である20 mm.mradが必要とされる。とりわけ電子ビームについては，ダンピングリングを用いずに低エミッタンスビーム入射を実現する必要があるため，高度なビーム制御技術が要求される。これらの要求を満足するため，新方式の光陰極RF電子銃を始めとした種々の技術開発が進められてきた。これと平行して，ビーム運転の可用性を高めるため，制御システムの高度化を推進してきた。本稿では，入射器アップグレードにともなう，ビーム制御システムの現状および今後の展望について報告する。