FROM08  電磁石と電源2/高周波源  8月10日 特別会議室2 13:40 - 14:00
高電圧高精度電源に適した低圧大電流IGBTユニットの開発
Development of low-voltage and large-current IGBT unit for high-voltage and high-precision power supply
 
○渡辺 泰広(日本原子力研究開発機構)
○Yasuhiro Watanabe (JAEA)
 
数kVの電圧が要求されるスイッチング電源では,電力損失の低減及び部品点数の削減を目的として,スイッチング素子の高電圧化が進んでいる。例えば,太陽光発電に用いられるMWクラスの大容量パワーコンディショナでは,直流1500Vが主流となりつつあり,定格電圧3300Vの高電圧IGBTが用いられる。しかし,高電圧のIGBTは、スイッチング一回当たりのステップ電圧が高くなることや,スイッチング周波数が高くできないため,フィルタ回路が大型化するなど高精度電源においては不利となる。本論文では,定格電圧650VのIGBTを使用し,IGBT冷却用水冷銅板や直流コンデンサ,放電抵抗等を一体化した定格電圧300VのIGBTユニットを開発した。本ユニットは8台まで直列接続が可能であるため,最大電圧2400Vまで対応可能である。