WEP039  加速器技術/粒子源  8月5日 小ホール 13:00 - 15:00
CsTe薄膜によるGaAsフォトカソードNEA活性化の研究
Study for activation of NEA-GaAs photo-cathode with CsTe thin film
 
○根岸 健太郎,内田 和秀,栗木 雅夫(広島大)
○Kentaro Negishi, Kazuhide Uchida, Masao Kuriki (Hiroshima Univ.)
 
NEA-GaAsフォトカソードは、 高スピン偏極、大電流電子ビームが生成可能であるが、 一方でその脆弱性が課題である。 本研究では、従来のCs-OによるGaAsのNEA活性化に替えて、 高耐久が期待されるCsTe半導体薄膜による表面修飾を試み、 NEA表面状態を示唆する結果を得た。