WEP063 　ＬＬＲＦ　 8月2日 第1,2,3,4会議室他 13:00 - 15:00

SuperKEKBダンピングリングにおけるLLRF制御システム

LLRF control system for damping ring at SuperKEKB

○小林 鉄也，赤井 和憲，海老原 清一，小田切 淳一，可部 農志，中西 功太，西脇 みちる（高エネ研），出口 久城，林 和孝，水野 隼一（三菱電機特機システム）

○Tetsuya Kobayashi, Kazunori Akai, Kiyokazu Ebihara, Jun-ichi Odagiri, Atsushi Kabe, Kota Nakanishi, Michiru Nishiwaki (KEK), Hisakuni Deguchi, Kazutaka Hayashi, Jun-ichi Mizuno (MELOS)

SuperKEKB計画の最初のビームコミッショニング（Phase-1）が2016年に５ヶ月間行われ、真空焼き出しに十分な目標蓄積ビーム電流（約1A）を達成し、無事、成功に終わった。 　SuperKEKB加速器は電子陽電衝突蓄積リングで、KEKB加速器の世界最高ルミノシティを40倍にアップグレードする計画である。そのため、更なる大電流化、低イミッタンス化は必須であり、新たに陽電子にはダンピングリング（DR）が追加される。2018年2月頃から予定されているPhase-2ではDRも含めたコミッショニング運転となる。 　本発表ではDR用低電力RF（LLRF）制御システム開発とその性能評価について報告する。DRは入射器（線形加速器）の加速途中で挿入されるリングであるが、RF周波数はメイン蓄積リング（MR）と同じ約509MHzで、１つのRFスーテション(クライストロン）により２台の加速空洞を駆動する（ただし将来３台になる可能性あり）。DR用LLRF制御システムは、MR用に開発されたデジタル制御システム（FPGA等で構成）をベースに、２台空洞の制御（ベクターサムfeedback制御等）に対応させた。前年度末の評価試験では良好な特性が得られ、運転準備が整っている。 　その他、マスターオシレータ系（MR、入射器との位相同期）や将来的に追加される可能性のあるイベントシステム機能（入射バケット選択のための位相シフト）等、DR特有のRF制御について紹介する。