TUP127 　加速器応用・産業利用　 8月1日 第1,2,3,4会議室他 13:00 - 15:00

SiC半導体を用いた超短パルス高電圧電源の開発

Development of a very short and high voltage pulser using SIC-DSRD

○内藤 孝（高エネルギー加速器研究機構），福田 憲司（産業技術総合研究所），岩室 憲幸（筑波大学），徳地 明（（株）パルスパワー技術研究所）

○Takashi Naito (KEK), Kenji Fukuda (AIST), Noriyuki Iwamuro (Tsukuba Univ), Akira Tokuchi (PPJ)

超短パルスによる粒子加速や高速キッカーに用いるためにSIC半導体を用いた超短パルス高電圧電源の開発を行っている。高電圧の超短パルスを得る技術は、半導体のオンスイッチを使った技術では電圧が上昇すると立上がり速度が遅くなり、高電圧化した時に短パルスを得ることが難しい。我々は誘導性エネルギーを半導体のオフスイッチ動作によって遮断する時の高速スイッチング特性を用いたパルス電源はオンスイッチによるパルス生成より高速のスイッチングが期待される。この動作原理によるパルス電源はDSRDと呼ばれるSi半導体を用いて開発されている。パルスが高電圧、大電流化した時に問題となる耐圧、電力ロスの観点から高耐圧性、熱耐久性に優れたSIC半導体を用いてパルス電源を開発することとした。現在までに11kV, 220A, 立ち上がり2.3ns, パルス幅10nsが実現出来ており、その開発状況について報告する。