TUP035 　ビームダイナミクス・加速器理論　 8月1日 第1,2,3,4会議室他 13:00 - 15:00

IFMIF RFQ ライナック用175MHz入力カプラーの電界強度解析

Analyses of electric field strength in the 175MHz RF input coupler for the IFMIF RFQ linac

○前原 直，新屋 貴浩，蛯沢 貴，近藤 恵太郎，春日井 敦，杉本 昌義（量研六ヶ所）

○Sunao Maebara, Takahiro Shinya, Takashi Ebisawa, Keitaro Kondo, Atsushi Kasugai, Masayoshi Sugimoto (QST)

国際核融合中性子照射施設(IFMIF)加速器系の工学設計工学実証活動(EVEDA)では、重陽子イオンビーム125mAを9MeVまで定常運転で加速するためにInjector(100kV-140mA)、運転周波数175MHzを採用したRFQライナック(0.1-5.0MeV-130mA)と超伝導RFライナック(5.0MeV-9MeV-125mA)の開発を進めている。RFQライナックでは8つのRFインプットカプラーを用いて1.28MWレベルのRF電力入射が必要であり、１台当たりRF電力として定格160kW、最大200kWのRFカプラー開発が要求されている。このために6 1/8インチ同軸導波管をベースにループアンテナを採用した定常運転用RFカプラーを開発した。このRFカプラーのビームローディング及び真空ローディングに対して電磁界解析を行った。ビームローディングの無反射の場合には、カプラーポート挿入口で最大電界強度3.61[kV/cm]、また高周波窓近辺では1.59[kV/cm]に達することが判明した。真空ローディングでは、最大電力反射率44.7%の反射率となるため、電界強度分布の反射率に対する依存性について解析を進めている。本講演ではRFカプラーのビームローディング及び真空ローディング時における電磁界解析結果について詳細に発表する。