TUP020 　光源加速器　 8月1日 第1,2,3,4会議室他 13:00 - 15:00

バルクMgB2超伝導体によるバルク超伝導体スタガードアレイアンジュレータ高精度化の検討

Potential of bulk MgB2 superconductor for bulk superconductor staggared array undulator

○紀井 俊輝（京大エネ研）

○Toshiteru Kii (IAE, KU)

バルク超伝導体で発生可能な強磁場をアンジュレータに活用することで、従来からの永久磁石や超伝導線材を大幅に超える短周期・強磁場アンジュレータの実現が期待できる。 京都大学では、バルク超伝導体をソレノイドコイル中に周期的に配置してバルク体内部に超伝導電流を誘起することで 短周期・強磁場を実現する超伝導バルクスタガードアレイアンジュレータを提案し開発を進めてきた。これまで、磁場強度を重視し希土類銅酸化物バルク超伝導体を用いたプロトタイプ開発を行ってきたが、種結晶を用いた結晶成長が不可欠な希土類銅酸化物系バルク超伝導体を用いた場合、個体間の性能差が大きく磁場分布の高度な制御に課題が残っていた。 本研究では、個体間性能差を大幅に小さくすることで磁場分布制御性を向上させることを目的とし、超伝導結晶粒界間の超伝導弱結合のないMgB2バルク超伝導に着目し、到達可能な磁場精度について数値評価を行った。 講演ではMgB2バルク超伝導体を用いたアンジュレータにおける予測性能について報告を行う。