TUP016 　光源加速器　 8月1日 第1,2,3,4会議室他 13:00 - 15:00

半導体リソグラフィのためのERLを用いたEUV FEL光源のS2Eシミュレーション

S2E simulation of an ERL-based EUV-FEL source for lithography

○中村 典雄，加藤 龍好，宮島 司，島田 美帆（KEK），布袋 貴大（総研大），羽島 良一（QST）

○Norio Nakamura, Ryukou Kato, Tsukasa Miyajima, Miho Shimada (KEK), Takahiro Hotei (SOKENDAI), Ryoichi Hajima (QST)

エネルギー回収型リニアック(ERL)を用いた極紫外線自由電子レーザー(EUV-FEL)は、半導体リソグラフィにおいて将来必要な1kW級のEUV光を複数の露光装置に同時供給できる可能性を持つ。また、エネルギー回収を行うことで廃棄ビームパワーとそれによる放射線の発生を大幅に低減できるという利点も有する。このような点から、ERLを用いたEUV-FEL光源は半導体EUVリソグラフィの有力な次世代光源候補であり、日本においてもKEKを中心とした国内の研究者グループが企業と共同で10kW級のEUV光の発生と近い将来での利用を目標にして設計・検討を行ってきた。このEUV-FEL光源の性能と実現可能性を評価するために、電子銃からFEL発振後のエネルギー回収までを含む電子ビームのStart-to-End（S2E）シミュレーションを行った。本発表ではこのS2Eシミュレーションとその結果について報告する。