TUP070 　光源加速器　 8月9日 コンベンションホール 13:10 - 15:10

共鳴遷移放射によるEUV光源の検討

Study of transition radiation EUV source

○天野 壮，竹内 雅耶，宮本 修治（兵庫県大高度研）

○Sho Amano, Masaya Takeuchi, Shuji Miyamoto (LASTI, Univ. of Hyogo)

次世代半導体製造技術であるEUVL(Extreme Ultraviolet Lithography)用露光光源として13.5nm (92eV)を放射する大出力(〜250W)レーザープラズマ光源の開発が進められている。一方、EUVLに用いるマスク欠陥検査用光源としては、低出力でもコヒーレントな光源が望まれる。そこで我々は、小型加速器を用いた共鳴遷移放射で、比較的簡便にこれが出来ないかと考えた。 遷移放射とは、異なる誘電率を持つ媒質の境界を電子が通過する時に光を放射する現象である。複数枚の薄膜からの遷移放射を干渉、共鳴させる事によってコヒーレント光となり、これを共鳴遷移放射と呼ぶ。 今回、兵庫県立大学ニュースバル放射光施設内にある小型電子線形加速器LEENA（電子エネルギー15MeV、マクロパルス電流100mA）を用いたEUV共鳴遷移放射の検討を行った。真空中にBe箔を複数枚並べた多層膜を設置し、電子ビームを入射する。その時に発生するEUV光13.5 nm±1%の出力を、Be箔の吸収を考慮して計算し、最適パラメータ（箔の枚数、箔の厚さ、箔間距離）を求めた。その結果、枚数６枚、厚さ0.25μm、箔間距離10.6μmで最大出力17mWとなった。角度分布・スペクトル分布なども含め、EUV放射特性について報告する。